摘要：
馈的信号路径）。这些规则通常用作好的一次近似，用于分析或设计运算放大器电路。 所有这些理想化都不可能完全实现。运算放大器模型中可以使用等效电阻和电容来模拟真正的运算放大器的非无限或非零参数。设计者这样就可以将这些影响考虑进最终电路的整体性能中。一些参数对最终设计的影响可能可以忽略不计，但其他那些实际制约最终性能的参数必须计算。。...
馈的信号路径）。这些规则通常用作好的一次近似，用于分析或设计运算放大器电路。 所有这些理想化都不可能完全实现。运算放大器模型中可以使用等效电阻和电容来模拟真正的运算放大器的非无限或非零参数。设计者这样就可以将这些影响考虑进最终电路的整体性能中。一些参数对最终设计的影响可能可以忽略不计，但其他那些实际制约最终性能的参数必须计算。。
等效电路的新解法和测量电极瞬间阻抗的选相调辉技术。首创并推广电化学技术和仪器，如新一代的离子色谱抑制器、微区腐蚀测量系统和国内第一台电化学综合测试仪等。在化学电源、金属腐蚀和电化学分析方面，都有结合生产实际的研究成果。 1980年当选为中国科学院院士。1984年获英国威尔士大学。
deng xiao dian lu de xin jie fa he ce liang dian ji shun jian zu kang de xuan xiang tiao hui ji shu 。 shou chuang bing tui guang dian hua xue ji shu he yi qi ， ru xin yi dai de li zi se pu yi zhi qi 、 wei qu fu shi ce liang xi tong he guo nei di yi tai dian hua xue zong he ce shi yi deng 。 zai hua xue dian yuan 、 jin shu fu shi he dian hua xue fen xi fang mian ， dou you jie he sheng chan shi ji de yan jiu cheng guo 。 1 9 8 0 nian dang xuan wei zhong guo ke xue yuan yuan shi 。 1 9 8 4 nian huo ying guo wei er shi da xue 。
度模换能器的换能中起着重要作用；从有限尺寸的厚度模换能器观察到辐射横波；理论和实验上证实了“应电压”效应（以其姓命名）；推导出圆形压电换能器的二维等效电路。 多个超声学的领域发表了一系列论文，领域包括：医学超声学、激光超声学、功率超声学、压电材料内部和表面上声波的产生和传播、油井中声波的传播等。 《超声学》（主编），1990年。
达灵顿晶体管（英语：Darlington transistor），或称达灵顿对（Darlington pair）是电子学中由两个（甚至多个）双极性晶体管（或者其他类似的集成电路或分立元件）组成的复合结构，通过这样的结构，经第一个双极性晶体管放大的电流可以进一步被放大。这样的结构可以提供一个比其中任意一个双极性晶体管高得多的。
在低频小信号的情况里，还可以用 h {\displaystyle h} 参数模型来分析双极性晶体管电路，它也是将晶体管看做一个二端口网络。该模型以输入电流和输出电压为自变量，从而得出等效电路模型。:96利用这种方法，可以较容易地分析双极性晶体管在电路中的行为。在右图中，符号 x {\displaystyle x}。
电气等效物可以由一些运算放大器（op amps）和一些无源线性元件构成;所有的测量都可以直接用示波器进行。在电路中，例如，（模拟）弹簧的'刚度'可以通过调整电容器的参数来改变。电气系统类似于物理系统，因此称为名称，但其构造更便宜，通常更安全，并且通常更容易修改。 而且，电子电路通常可以在比正在模拟的系统更高的频率下工作。。
SD模型，与典型的人体放电模型有明显的差别。人体-金属ESD产生的放电电流的峰值一般要比人体ESD大5～7倍。原因是金属物件的电极效应使得人体放电的等效电阻显著变小。 机器模型（MM） 充电器件模型（英语：Charged-device model）（CDM） 传输线脉冲（英语：Transmission-line。
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机电系统设计。 分布计算机网络的拓扑结构。 电路设计，此类用途的遗传算法叫做进化电路。 电子游戏设计，例如计算平衡解决方案。 机器智能设计和机器人学习。 模糊控制系统的训练。 移动通讯优化结构。 时间表安排，例如为一个大学安排不冲突的课程时间表。 旅行推销员问题。 神经网络的训练，也叫做神经进化。。
应用串联电路和並联电路的阻抗计算定则，就可以计算出简单电路的总阻抗。除了阻抗是复数以外，这定则与串联电路和並联电路的电阻计算定则等同。但是，对於一般电路案例，还需要通过等效阻抗转换（equivalent impedance transform）这一道步骤。 具有多於两个终端点的阻抗电路，无法约化为只具有一个阻抗元件的等效电路；具有。
MOSFET中的內部电容（如图4）。在MOSFET切换时，需要將电容器充电及放电。流进闸极电容的电流会受到外部驱动电路的限制，因此充放电的速度会比较慢。若不考虑功率电路中的电感，驱动电路会主控MOSFET的切换速度。 在MOSFET的datasheet（英语：datasheet）中，电容会用Ciss。
{\frac {I_{0}}{s}}} L为电感 I 0 {\displaystyle I_{0}} 为电感元件的初始电流 并联电路中的电感元件每个都有相同的电势差。其总的等效电感（Leq）： 1 L e q = 1 L 1 + 1 L 2 + ⋯ + 1 L n {\displaystyle {\frac。
Verilog是一种用于描述、设计电子系统（特别是数字电路）的硬件描述语言，主要用於在集成电路设计，特别是超大规模集成电路的计算机辅助设计。Verilog是电气电子工程师学会（IEEE）的1364号标准。 Verilog能够在多种抽象级别对数字逻辑系统进行描述：既可以在晶体管级、逻辑门级进行描述，也可以在寄存器传输级对电路。
等效电路而闻名。 1898年出生于美国缅因州，他在缅因大学学习两年后转入麻省理工并於1922年获得学士学位(电气工程)，1925年获得哥伦比亚大学硕士学位。 爱德华·诺顿虽然主要关注于通信电路理论和电话线高速传输数据领域，但他最著名的贡献是提出戴维南等效电路的第二种形式，目前这一电路。
容器会有崩溃电压。而电容器中的导体及其引脚会产生不想要的等效串联电感及等效串联电阻。 电容器常用在电子电路中，阻隔直流电，让交流电可以流过电容器。在类比滤波（英语：analog filter）电路中，电容器可以使电源供应的输出变平滑。在LC电路中电容器和电感器可以调谐无线电到特定的频率。在输电系统中。
赵凯华、陈熙谋. 《新概念物理教程·电磁学》（第二版）. 高等教育出版社. ISBN 9787040202021. 熊年禄等. 《模拟电路》. 北京邮电大学出版社. ISBN 978-7-5635-2227-9. David Halliday, Robert Resnick, Jearl Walker。
集成电路设计（英语：Integrated circuit design, IC design），根据当前集成电路的集成规模，亦可称之为超大规模集成电路设计（VLSI design），是指以集成电路、超大规模集成电路为目标的设计流程。 集成电路设计涉及对电子器件（例如晶体管、电阻器、电容器等）、器件。
在集成电路设计中，逻辑合成（英语：logic synthesis）是所设计数字电路的高抽象级描述，经过布尔函数化简、优化后，转换到的逻辑门级别的电路连线网表的过程。 通常，逻辑综合的信息来源是硬件描述语言——主要是VHDL和Verilog等，设计人员通常使用硬件描述语言来进行电路。
thyristor，缩写：GTO）是一种派生自普通单向晶闸管的大功率全控型半导体器件，它既保留了普通单向晶闸管耐压高、电流大的特性，又具备了自关断能力。 电路符号 结构示意 等效电路图 可关断晶闸管的结构和普通单向晶闸管一样，由PNPN四层半导体构成，外部有三个电极，即门极G、阳极A和阴极K。。
error），它是由于时钟的不良振荡，且常常在对时域信号数字化的过程中出现。时钟的不良振荡所引起的孔径误差可以等效到ADC的采样保持器中，这个时钟称之为采样信号而采样信号的相位不确定性就使得实际的采样时间是随机变化的，在对一个动态变化的信号采样时，我们认定的采样信号。
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IGBT的结构与功率MOSFET十分相似，主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层（NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分），如等效电路图所示，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。 基片的应用在管体的P+和N+区之间创建了一个J1结，当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功。
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